宿迁变压器厂

　　对于新手来说，在宿迁变压器电路设计中，EMI/EMC相关问题的出现恐怕是最为常见的。小编特此福利大放送，分享一些宿迁变压器EMI的设计经验，希望看完本文后能帮助朋友们顺利解决其相关问题。

　　宿迁变压器的EMI源

　　宿迁变压器的EMI干扰源集中体现在功率管、整流二极管、等，外部环境对宿迁变压器的干扰主要来自电网的抖动、雷击、外界辐射等。

　　(1)功率管

　　功率管工作在On-Off快速循环转换的状态，dv/dt和di/dt都在急剧变换，因此，功率管既是电场耦合的主要干扰源，也是磁场耦合的主要干扰源。

　　(2)宿迁变压器

　　宿迁变压器的EMI来源集中体现在漏感对应的di/dt快速循环变换，因此宿迁变压器是磁场耦合的重要干扰源。

　　(3)整流二极管

　　整流二极管的EMI来源集中体现在反向恢复特性上，反向恢复电流的断续点会在电感(引线电感、杂散电感等)产生高 dv/dt，从而导致强电磁干扰。

　　(4)PCB

　　准确的说，PCB是上述干扰源的耦合通道，PCB的优劣直接对应着对上述EMI源抑制的好坏。

　　宿迁变压器EMI传输通道分类

　　传导干扰的传输通道

　　(1)容性耦合

　　(2)感性耦合

　　(3)电阻耦合：公共宿迁变压器内阻产生的电阻传导耦合;公共地线阻抗产生的 电阻传导耦合;公共线路阻抗产生的电阻传导耦合;

　　辐射干扰的传输通道

　　(1)在[ci变压器厂家tyname]变压器中，能构成辐射干扰源的元器件和导线均可以被假设为天线，从而利用电偶极子和磁偶极子理论进行分析;二极管、电容、功率管可以假设为电偶极子，电感线圈可以假设为磁偶极子;

　　(2)没有屏蔽体时，电偶极子、磁偶极子，产生的电磁波传输通道为空气(可以假设为自由空间);

　　(3)有屏蔽体时，考虑屏蔽体的缝隙和孔洞，按照泄漏场的数学模型进行分析处理。

　　宿迁变压器EMI抑制的9大措施

　　在宿迁变压器中，电压和电流的突变，即高dv/dt和di/dt，是其EMI产生的主要原因。实现宿迁变压器的EMC设计技术措施主要基于以下两点：

　　(1)尽量减小宿迁变压器本身所产生的干扰源，利用抑制干扰的方法或产生干扰较小的元器件和电路，并进行合理布局;

　　(2)通过接地、滤波、屏蔽 等技术抑制宿迁变压器的EMI以及提高宿迁变压器的EMS。

　　分开来讲，9大措施分别是：

　　(1)减小dv/dt和di/dt(降 低其峰值、减缓其斜率)

　　(2)压敏电阻的合理应用，以降低浪涌电压

　　(3)阻尼网络抑制过冲

　　(4)采用软恢复特 性的二极管，以降低段EMI

　　(5)有源功率因数校正，以及其他谐波校正技术

　　(6)采用合理设计的宿迁变压器线滤波器

　　(7)合理的接地处理

　　(8)有效的屏蔽措施

　　(9)合理的PCB设计

　　宿迁变压器漏感的控制

　　宿迁变压器的漏感是功率管关断尖峰电压产生的重要原因之一，因此，控制漏感成为解决宿迁变压器带来的EMI首要面对的问题。

　　减小宿迁变压器漏感有两个切入点：电气设计和工艺设计。

　　(1)选择合适磁芯，降低漏感。漏感与原边匝数平方成正比，减小匝数会显著降低漏感。

　　(2)减小绕组间的绝缘层。现在有一种称之为“黄金薄膜”的绝缘层，厚度20～100um，脉冲击穿电压可达几千伏。

　　(3)增加绕组间耦合度，减小漏感。

　　宿迁变压器的屏蔽

　　为防止宿迁变压器的漏磁对周围电路产生干扰，可采用屏蔽带来屏蔽宿迁变压器的漏磁场。屏蔽带一般由铜箔制作，绕在宿迁变压器外部一周，并进行接地，屏蔽带相对于漏磁场来说是一个短路环，从而抑制漏磁场更大范围的 泄漏。

　　宿迁变压器，磁芯之间和绕组之间会发生相对位移，从而导致宿迁变压器在工作中产生噪声(啸叫、振动)。为防止该噪声，需要对变 压器采取加固措施：

　　(1)用环氧树脂将磁心(例如EE、EI磁心)的三个接触面进行粘接，抑制相对位移的产生;

　　(2)用“玻璃珠”(Glass beads)胶合剂粘结磁芯，效果更好。